带间共振隧穿二极管(RITD)

• 作者: 郭维廉
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: RITD RITD物理模型 Ⅱ类RITD P-n结双势阱Ⅰ类RITD δ掺杂RITD
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 326-333
• 页数: 8页
• 分类号: TN312.2
• 字数: 4909字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.06.004

摘要

带间共振隧穿二极管(RITD)是导带与价带间发生共振隧穿的两端器件,其特点是启始电压VT和峰值电压VP.较低,电流峰谷比PVCR较大.在导出RITD物理模型和其电流密度方程的基础上重点介绍了InAs/AlSb/GaSb Ⅱ类异质结RITD、n+InAlAs/InGaAs/InAlAs/In-GaAs/p+InAlAS P-n结双势阱Ⅰ类RITD以及艿掺杂RITD三种RITD的器件结构、材料结构、工作原理、器件特性和参数等,并对这三种RITD的特点进行了比较和讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭维廉	天津大学电子信息工程学院	145	419	10.0	12.0