电子束蒸发法制备TiO2薄膜的折射率研究

• 作者: 李云 王六定
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 电子束蒸发 TiO2薄膜 折射率
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 35-37
• 页数: 3页
• 分类号: TB43|O484
• 字数: 2713字
• 语种: 中文

摘要

用电子束蒸发法制备TiO2薄膜,并对其进行300℃、400℃、850℃热处理和掺杂.详细研究了工艺参数、热处理和掺杂对TiO2薄膜折射率的影响.实验结果表明:镀制高折射率的氧化钛薄膜最佳工艺参数为基片温度200℃、真空度2×10-2 Pa、沉积速率0.2 nm/s;随着热处理温度的升高,薄膜折射率也逐渐增大;适量掺杂CeO2(CeO2:Ti0质量比1.7:12)会提高薄膜的折射率,过量掺杂CeO2反而会降低折射率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王六定		33	212	7.0	13.0
2	李云		11	56	5.0	7.0