基于图形衬底的InAs/GaAs量子点和量子环液滴外延

• 作者: 徐波 王占国 赵暕 陈涌海
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 液滴外延 图形衬底}量子点 量子环 分布规律
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2003-2008
• 页数: 6页
• 分类号: O78
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.10.029

摘要

液滴外延生长半导体材料是一种较为新颖的MBE生长技术.而图形衬底对液滴外延的影响到目前为止并没有非常详细的研究结果.作者在GaAsμm级别网形衬底上进行了InAs的液滴外延生长,并在不同结构的图形衬底上得到了不同的InAs量子点和量子环生长结果.基于生长结果,分析了图形衬底对液滴外延的影响和液滴外延下最子点和量子环的形成机制以及分布规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐波	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	92	929	15.0	27.0
2	王占国	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	101	701	15.0	23.0
3	陈涌海	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	16	40	4.0	5.0
4	赵暕	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	1	6	1.0	1.0