电致变色热控器件ITO膜层的制备与研究

• 作者: 何延春 吴春华 王洁冰 许旻 赵印中 邱家稳
• 来源期刊: 真空与低温
• 学科: 物理学
• 关键词: 电致变色器件 ITO薄膜 制备工艺
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 32-36,40
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4+1
• 字数: 4764字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7086.2008.01.008

摘要

针对电致变色热控器件的透明导电层开展了ITO薄膜的制备工艺研究,对薄膜制备过程中的几个主要影响因素(溅射压力、氩,氧比例、退火温度等)进行了分析,并测试了薄膜性能,制备的ITO薄膜电阻在100～120 Ω/cm左右,在太阳光谱范围的吸收率小于5%,可以满足电致变色器件对透明导电层的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何延春	兰州物理研究所表面工程技术国家级重点实验室	19	211	9.0	14.0
2	邱家稳	兰州物理研究所表面工程技术国家级重点实验室	44	477	14.0	20.0
3	许旻	兰州物理研究所表面工程技术国家级重点实验室	21	233	10.0	14.0
4	王洁冰	兰州物理研究所表面工程技术国家级重点实验室	17	208	9.0	14.0
5	吴春华	兰州物理研究所表面工程技术国家级重点实验室	12	69	5.0	8.0
6	赵印中	兰州物理研究所表面工程技术国家级重点实验室	13	185	8.0	13.0