退火温度对生长在TiO2缓冲层上的ZnO薄膜的影响

• 作者: 史林兴 徐林华 李相银 沈华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 其他
• 关键词: ZnO薄膜 TiO2缓冲层 晶化质量 光致发光
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1992-1997
• 页数: 6页
• 分类号: O84
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.10.027

摘要

采用电子束蒸发技术在TiO2缓冲层上沉积了ZnO薄膜,研究了不同的退火温度对薄膜晶化质量及发光性质的影响.利用X射线衍射仪和扫描探针显微镜分析了薄膜样品的结构性质,利用荧光光谱仪研究了薄膜样品的光致发光性质.分析结果表明,退火处理后的ZnO薄膜都沿c轴择优牛长.在600℃下退火的样品具有最强的(002)衍射峰、最强的紫外发射和最弱的可见光发射,其晶粒大小均匀.紧密堆积.而对于在500和700℃下退火的样品,其可见光发射较强.这表明在600℃下退火的样品具有最好的晶化质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐林华	南京理工大学应用物理系	7	40	4.0	6.0
2	李相银	南京理工大学应用物理系	49	243	9.0	11.0
3	沈华	南京理工大学电光学院	23	103	7.0	9.0
4	史林兴	南京理工大学应用物理系	7	19	3.0	4.0