空位对普通和掺氮直拉硅单晶中氧沉淀形核的作用

• 作者: 姜翰钦 杨德仁 阙端麟 马向阳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直拉硅单晶 氧沉淀 形核 空位
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1984-1987
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.10.025

摘要

研究了普通直拉(CZ)硅单晶和掺氮直拉(NCZ)硅单晶在氩气氛下进行1250℃/50s的快速热处理(RTP)后,再经600～1000℃的不同温区内的缓慢升温处理和1000℃保温处理后的氧沉淀行为.研究表明,由RTP引入的空位在700～800℃间缓慢升温退火时对CZ硅中氧沉淀形核的促进作用最显著,而在800～900℃间缓慢升温退火时对NCZ硅中氧沉淀形核的促进作用最显著;在800以上,氮促进氧沉淀形核的作用比空位更强.此外,提出了适用于CZ和NCZ硅片的基于高温RTP和低温缓慢升温热处理的内吸杂工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
4	姜翰钦	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	2	1.0	1.0