光激发单极畴与耿氏偶极畴的物理机制比较

• 作者: 侯磊 施卫 王馨梅 田立强
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光激发单极畴 偶极畴 耿氏效应 光电半导体开关 碰撞电离
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1980-1983
• 页数: 4页
• 分类号: TN256
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.10.024

摘要

对比了半绝缘多能谷光电导开关中光激发单极畴和耿氏器件中偶极畴的物理机制.从产生机理、电场分布、电子浓度、生长和演变过程等多角度阐述光激发单极畴的特性.与偶极畴显著不同的是,光激发单极畴内仅有光生电子积累层,没有上离子层;光激发单极畴与光生空穴之间产生了一个与外加电场反向的电场,使畴前电场增强,畴头部电子浓度最高;光激发单极畴生长过程可以一直持续下去,终因电子碰撞电离演变为发光畴,如果碰撞电离达到雪崩强度,将演变为雪崩发光畴.最后,本文用光激发单极畴模型解释了光电导开关非线性工作模式的超快上升沿、发光电流丝、电流锁定现象等重要实验现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施卫		85	925	17.0	25.0
2	王馨梅		24	130	7.0	10.0
3	田立强		8	96	5.0	8.0
4	侯磊		6	42	4.0	6.0