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摘要:
A(B'1/3B'' 2/3)O3型微波介质陶瓷中,B位阳离子对损耗和有序结构有较大的影响.该文研究了B位离子非化学计量比对损耗及有序结构的影响,研究发现,B位Zn2+、Nb5+偏离化学计量比越大,损耗越大,同时有序结构随着B位Zn/Nb离子间的比例变化而变化.
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关键词云
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文献信息
篇名 Ba(Zn1/3Nb2/3)O3陶瓷B位离子非化学计量比的研究
来源期刊 压电与声光 学科 化学
关键词 微波介质陶瓷 非化学计量比 介质损耗 有序结构
年,卷(期) 2008,(1) 所属期刊栏目 单晶、薄膜及其他功能材料
研究方向 页码范围 56-57
页数 2页 分类号 O65
字数 1502字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-2474.2008.01.019
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 石锋 山东师范大学物理与电子科学学院 31 83 5.0 6.0
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节点文献
微波介质陶瓷
非化学计量比
介质损耗
有序结构
研究起点
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
压电与声光
双月刊
1004-2474
50-1091/TN
大16开
重庆市南岸区南坪花园路14号
1979
chi
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