扩展电阻技术测试外延片外延厚度误差分析

• 作者: 张志勤 张秀丽 李胜华
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 扩展电阻 硅外延 厚度误差 过渡区
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 封装、测试与设计
• 页码范围: 905-908
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054|TN304.12
• 字数: 1920字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.10.017

摘要

扩展电阻法利用测量纵向深度电阻率的变化获得外延片厚度.实际外延片测试过程中,经常发生扩展电阻测试仪测量硅外延片厚度误差较大的问题,从三个方面分析了产生的原因,其中两方面存在于样品制备过程:样品研磨角度不等于垫块角度造成的误差;研磨斜面两条边缘不平行造成的误差.另外一方面存在于测试过程,测试仪两探针起始位置偏离样品表面和研磨斜面的边界线造成的误差.由样品制备引起的误差占实际误差的大多数,所有误差均可通过计算公式进行修正.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张秀丽	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	7	1.0	2.0
2	张志勤	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	4	1.0	2.0
3	李胜华	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	0	0.0	0.0