PECVD法低温制备纳米晶硅薄膜晶化特性的Raman分析

• 作者: 刘翠青 吴燕丹 李平 林璇英 邱胜桦 陈城钊
• 来源期刊: 材料研究与应用
• 关键词: 纳米晶硅薄膜 晶化率 RF-PECVD Raman谱
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 可持续能源材料
• 页码范围: 428-431
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4|O471.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-9981.2008.04.048

摘要

以SiH4与H2为气源,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较低的温度(200℃)和较高的压强(230 Pa)下,在普通的玻璃衬底上制备出沉积速率达8×10-10m/s,晶化率大于60%的纳米晶硅薄膜.利用Raman谱分析硅烷浓度和射频功率对纳米晶硅薄膜的晶化特性的影响.结果表明,薄膜的晶化率、沉积速率与硅烷浓度和射频功率存在着密切的关系.随着硅烷浓度的降低,即氢稀释率的提高,晶化率提高,而沉积速率随着射频功率的增大而增大.当硅烷体积浓度为1%、射频功率为70 W时,获得晶化率接近70%的优质纳米晶硅薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林璇英	韩山师范学院物理与电子工程系	40	400	10.0	18.0
3	邱胜桦	韩山师范学院物理与电子工程系	13	50	4.0	6.0
4	陈城钊	韩山师范学院物理与电子工程系	23	86	5.0	8.0
5	李平	韩山师范学院物理与电子工程系	10	52	5.0	6.0
6	吴燕丹	韩山师范学院物理与电子工程系	18	72	5.0	7.0
7	刘翠青	韩山师范学院物理与电子工程系	26	67	5.0	7.0