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摘要:
在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态锑化铟(a-InSb)薄膜的低温生长.采用X射线衍射(XRD)和原子力显微(AFM)技术对所生长的薄膜进行分析研究,所生长的非晶态锑化铟薄膜表面平整,没有晶粒出现,获得了射频磁控溅射生长非晶态锑化铟薄膜的"生长窗口".采用傅立叶红外透射光谱分析技术对非晶态锑化铟薄膜进行了光学性能研究,在0.9~2.0μm范围内研究了薄膜的透射谱线,获得了薄膜的吸收系数,研究了其光学带隙和吸收边附近的3个吸收区域.
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文献信息
篇名 非晶态锑化铟薄膜的射频磁控溅射生长及其结构和光学特性研究
来源期刊 红外技术 学科 物理学
关键词 非晶态锑化铟 射频磁控溅射 光学带隙
年,卷(期) 2008,(6) 所属期刊栏目 材料与器件
研究方向 页码范围 351-354
页数 4页 分类号 O742|O75
字数 2319字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.06.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 姬荣斌 50 200 7.0 10.0
2 孔金丞 26 70 4.0 6.0
3 孔令德 12 37 4.0 4.0
4 赵俊 19 57 4.0 6.0
5 李竑志 4 18 4.0 4.0
6 王善力 5 16 3.0 4.0
7 于晓辉 2 4 1.0 2.0
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研究主题发展历程
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非晶态锑化铟
射频磁控溅射
光学带隙
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红外技术
月刊
1001-8891
53-1053/TN
大16开
昆明市教场东路31号《红外技术》编辑部
64-26
1979
chi
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