蓝宝石衬底nm级CMP技术研究

• 作者: 刘玉岭 武亚红 王立发 陈景 马振国
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 蓝宝石 化学机械抛光 表面状态 粗糙度
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 51-54
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2|TG175
• 字数: 3198字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.01.012

摘要

介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺,讨论分析了影响蓝宝石衬底化学机械抛光的因素,定量确定了最佳CMP工艺.提出先以重抛过程提高蓝宝石抛光速率,然后以轻抛过程降低最终表面粗糙度的工艺路线.在配制抛光液时加入FA/O Ⅰ型活性剂保护SiO2胶粒的双电子层结构.在轻抛过程之前抛光垫用原液浸泡20～30 min,抛光磨料直径为20～40 nm.实验最佳工艺条件下的抛光速率达231.6 nm/min,粗糙度降至0.34 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	陈景	河北工业大学微电子研究所	5	44	4.0	5.0
3	王立发	河北工业大学微电子研究所	9	65	5.0	8.0
4	马振国	河北工业大学微电子研究所	5	44	4.0	5.0
5	武亚红	河北工业大学微电子研究所	5	44	4.0	5.0