252kV 四级污秽棒形支柱瓷绝缘子花釉缺陷原因分析及解决方法探讨

• 作者: 司志涛 张桂花 曹怀章 桑建华 韩红英
• 来源期刊: 电瓷避雷器
• 学科: 工学
• 关键词: 干法成形 四级污秽棒形瓷绝缘子 花釉缺陷 伞形结构优化
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 绝缘子
• 页码范围: 8-10
• 页数: 3页
• 分类号: TM216
• 字数: 2437字
• 语种: 中文

摘要

对比分析了干法生产的252kV四级和三级污秽棒形支柱瓷绝缘子的工艺特点.认为四级污秽棒形支柱瓷绝缘子产生花釉缺陷的原因是:伞间距小、伞伸出大,施釉操作时坯体旋转,伞根部位暴露不完全,釉浆很难喷到伞根部位.在保证产品机械性能、电气性能和冷热性能的前提下,将大伞根厚度由22.67mm 减小到17.61 mm,小伞根厚度由20.07mm 减小到15.66mm,大伞与小伞之间杆径直线距离增加2.64 mm、小伞与大伞之间杆径直线距离增加2.69 mm,两伞之间距离由67.76mm增加为70.11mm;爬电距离增加(用一组伞作为对比)5.61 mm;杆径未变化;伞间最小距离70.11 mm;伞间距和伞伸出之比0.926;大小伞伸出之差17.5 mm;伞倾角17°.实验证明伞形结构优化后,为施釉操作创造了条件.瓷检合格率明显提高.较好地解决了花釉缺陷问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	桑建华		6	15	2.0	3.0
2	司志涛		1	2	1.0	1.0
3	张桂花		1	2	1.0	1.0
4	韩红英		3	2	1.0	1.0
5	曹怀章		1	2	1.0	1.0