结构片断法计算离子型表面活性剂的HLB值

• 作者: 李国龙 李远喜 杨运泉 童刚生
• 来源期刊: 精细化工
• 学科: 化学
• 关键词: 离子型表面活性剂 HLB值 CMC 结构片断法 疏水值logP 基团贡献法
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 表面活性剂
• 页码范围: 449-453
• 页数: 5页
• 分类号: O647
• 字数: 3469字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1003-5214.2008.05.010

摘要

运用结构片断法计算离子型表面活性剂的疏水值logP,并将疏水值概念引入Davies基团贡献法以代替该模型中亲油基的基团数,从而建立了计算离子型表面活性剂HLB值的新模型为:HLB=7+∑亲水基基团数-∑疏水基logP.通过与文献列举的17个不同系列离子型表面活性剂的HLB值对照表明,该新模型的计算值与文献值的平均相对偏差为1.68%.采用非线性方法拟合了烷基硫酸钠,烷基磺酸钠和烷基三甲基溴化铵3类典型离子型表面活性剂的CMC和HLB的关系,并得到了其关联方程,拟合结果表明,由新模型得到的关联方程其复相关系数R2>0.988.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨运泉	湘潭大学化工学院	129	822	16.0	20.0
2	童刚生	湘潭大学化工学院	13	65	6.0	8.0
3	李国龙	湘潭大学化工学院	18	175	8.0	13.0
4	李远喜	湘潭大学化工学院	1	9	1.0	1.0