Al浓度对AZO紫外探测器性能的影响

• 作者: 李燕 王培利 邓宏 韦敏
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: AZO薄膜 光电导紫外探测器 响应度
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 666-668,676
• 页数: 4页
• 分类号: TB43
• 字数: 2269字
• 语种: 中文

摘要

采用射频溅射工艺,在石英基片上制备了未掺和掺Al浓度分别为5%、10%、15%及20%(原子分数)的氧化锌(AZO)薄膜.研究了薄膜的结构和光学性质,结果表明,所制备的薄膜具有c轴择优取向,随着Al浓度的增加,薄膜光学吸收边蓝移.在薄膜上真空蒸发沉积金叉指电极制备了MSM结构光电导紫外探测器,光谱响应测试表明,在5 V偏压下掺Al浓度为5%的探测器在375 nm紫外光照下响应度为37 A/W,对400 nm以上可见光响应度减小了1个数量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓宏	电子科技大学微电子与固体电子学院	72	653	14.0	22.0
2	李燕	电子科技大学微电子与固体电子学院	29	259	9.0	15.0
3	韦敏	电子科技大学微电子与固体电子学院	15	131	7.0	11.0
4	王培利	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	23	2.0	2.0