高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层(上)

• 作者: 汪辉 翁妍
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 栅介质薄层 高介电常数 可靠性
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TN304|TN386.1
• 字数: 3904字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.01.001

摘要

随着45 nm和32 nm技术节点的来临,传统的SiO2作为栅介质薄膜材料的厚度需缩小到1 nm之下,材料的绝缘性、可靠性等受到了极大的挑战,已不能满足技术发展的要求.高k材料成为代替SiO2作为栅介质薄层材料的不错选择,但是大多数高k材料是离子金属氧化物,其基本物理和材料特性导致产生很多不可靠因素.从高k材料的基本物理和材料特性角度,回顾了高k材料代替SiO2用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层时产生的主要不可靠因素及根本原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪辉	上海交通大学微电子学院	33	81	4.0	7.0
2	翁妍	上海交通大学微电子学院	3	7	2.0	2.0