表面活性剂对铝合金表面电化学沉积硅烷膜层的影响

• 作者: 何德良 周舟 徐以兵 钟建芳
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 表面活性剂 铝合金 最佳沉积电位 硅烷膜 电化学沉积
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 1-3,57
• 页数: 4页
• 分类号: TG178
• 字数: 3471字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3660.2008.03.001

摘要

采用交流阻抗技术研究了表面活性剂对不同条件下双-1,2-[3(三乙氧基)硅丙基]四硫化物硅烷在铝合金表面阴极电化学辅助沉积成膜的影响.研究表明:在硅烷溶液中加入表面活性剂进行改性,可降低硅烷在铝合金表面电化学沉积的阴极沉积电位,抑制硅烷沉积过程中的析H2作用,改善电极界面区域硅烷成膜环境.试验证明:硅烷溶液中表面活性剂的最佳改性浓度为0.03%,在此浓度下,铝合金表面硅烷阴极电沉积的最佳沉积电位为-1.6V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何德良	湖南大学化学生物传感与计量学国家重点实验室	29	240	9.0	14.0
2	周舟	湖南大学化学生物传感与计量学国家重点实验室	10	53	5.0	7.0
3	徐以兵	湖南大学化学生物传感与计量学国家重点实验室	3	22	3.0	3.0
4	钟建芳	湖南大学化学生物传感与计量学国家重点实验室	2	15	2.0	2.0