SiN钝化膜对Si衬底GaN基蓝光LED性能影响

• 作者: 刘军林 姜乐 江风益 邱冲 郑畅达
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 化学
• 关键词: 蓝光LED GaN 硅衬底 SiN 钝化 光衰
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 页码范围: 840-844
• 页数: 5页
• 分类号: O482.31|O657.3
• 字数: 2230字
• 语种: 中文

摘要

利用等离子辅助化学气相沉积(PECVD)系统在垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了SiN钝化膜,并对长有钝化膜及未作钝化处理的LED在不同条件下进行了老化实验,首次研究了SiN钝化膜对垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED可靠性的影响.实验发现:经过30 mA、85 ℃、24 h条件老化后,未作钝化处理的Si衬底GaN基蓝光LED的平均光衰为%,而长有SiN钝化膜的LED平均光衰为6.06%,SiN钝化膜有效地改善了LED在各种老化条件下的光衰,另外,SiN钝化膜缓解了Si衬底GaN基蓝光LED老化过程中反向电压(Vr)的下降,但对老化后LED的抗静电击穿能力(ESD)没有明显的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姜乐	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	6	38	3.0	6.0
2	郑畅达	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	9	51	5.0	7.0
4	刘军林	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	10	71	4.0	8.0
6	邱冲	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	2	25	2.0	2.0