聚酰亚胺/介孔二氧化硅复合薄膜的介电性能研究

• 作者: 党智敏 杨志强 马兰杰
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 聚酰亚胺 MCM-41 复合薄膜 低介电常数 电气强度 电阻率
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 性能研究
• 页码范围: 60-63
• 页数: 4页
• 分类号: TM215.3|TQ323.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9239.2008.02.017

摘要

采用原位分散聚合法制备了聚酰亚胺(PI)/介孔二氧化硅(MCM-41)复合薄膜.利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)观察到MCM-41粒子规整的六方立体结构,通过扫描电子显微镜(SEM)研究了MCM-41粒子在聚酰亚胺基体中的分散状态以及MCM-41粒子添加量对该复合薄膜介电性能的影响.结果表明:PI复合薄膜的体积电阻率和电气强度都有不同程度的提高.与纯PI相比,MCM-41含量为3.0%时,复合薄膜体积电阻率提高了一个数量级,由2.8 X 1014Ω·m增至2.1×1015Ω·m,同时介电常数从3.26降至2.86,介质损耗因数无显著变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	党智敏	北京化工大学纳米材料先进制备技术与应用科学教育部重点实验室	23	302	11.0	17.0
2	杨志强		7	35	4.0	5.0
3	马兰杰	北京化工大学纳米材料先进制备技术与应用科学教育部重点实验室	1	13	1.0	1.0