新型部分耗尽SOI器件体接触结构

• 作者: 宋文斌 毕津顺 韩郑生
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅 浮体效应 体接触 寄生电容 体电阻
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 968-971
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2526字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.11.008

摘要

提出了一种部分耗尽SOI MOSFET体接触结构,该方法利用局部SIMOX技术在晶体管的源、漏下方形成薄氧化层,采用源漏浅结扩散,形成体接触的侧面引出,适当加大了Si膜厚度来减小体引出电阻.利用ISE-TCAD三维器件模拟结果表明,该结构具有较小的体引出电阻和体寄生电容、体引出电阻随器件宽度的增加而减小、没有背栅效应.而且,该结构可以在不增加寄生电容为代价的前提下,通过适当的增加Si膜厚度的方法减小体引出电阻,从而更有效地抑制了浮体效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	毕津顺	中国科学院微电子研究所	37	78	5.0	6.0
3	宋文斌	中国科学院微电子研究所	5	14	3.0	3.0