基于MOS Model 20的RF-S0I LDMOS大信号建模

• 作者: 余志平 刘军 孙玲玲 王皇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: RF-SOlLDMOS 大信号模型 MOSModel20 谐波功率 Verilog-A
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1922-1927
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.10.015

摘要

提出了一种新的基于Philips MOS Model 20(MM20)的RF-SOI(radio frequency silicon-on-insulator)LDMOS(1aterally dif-fused MOS)大信号等效电路模型.描述了弱雪崩效应以及由热效应引起的功率耗散现象.射频寄生元件由实验测得的S参数解析提取,并通过必要的优化快速准确地获得最终值.模型的有效性是通过-20栅指(每指栅长L=lμm,宽W=50μm)体接触高阻RF-SOl LDMOS在直流,交流小信号和大信号条件下的实验数据验证的.结果表明,直流、S参数(10MHz～20.01GHz)以及功率特性的仿真和实验测得数据能够很好地拟合.说明本文提出的模型具有良好和可靠的精度.本文完成了对MM20在RF-SOI LDMOS大信号应用领域的拓展.模型由Verilog-A描述,使用ADS(hpeesofsim)电路仿真器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙玲玲	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	68	213	8.0	9.0
2	刘军	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	30	47	4.0	6.0
3	王皇	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	2	5	2.0	2.0