磁过滤阴极真空弧法制备纳米nc-ZrCN/a-C:H(N)复合膜

• 作者: 吴先映 周奎 廖斌 张旭 覃礼钊
• 来源期刊: 北京师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: 磁过滤阴极真空弧法(FCVA) 纳米nc-ZrCN/a-C:H(N)复合膜 气体流量
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 页码范围: 487-490
• 页数: 4页
• 分类号: O6
• 字数: 1749字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2008.05.010

摘要

采用磁过滤阴极真空弧法,以C2H2和N2混合气体为反应气体在单晶硅上沉积纳米nc-ZrCN/a-C:H(N)复合膜, 用X射线衍射(XRD)、扫描电镜的能谱仪(SEM-EDS)和X射线电子能谱(XPS)研究了薄膜的成分和结构.实验结果表明薄膜结构是由ZrCN晶粒镶嵌在无定形碳和碳氮化合物基体中;膜中的化合键主要以Zr-C, C=C(sp2)和C-C(sp3)形式存在;随着混合气体流量的增加,薄膜的锆原子分数减小,而N和C的原子分数逐渐增大.