一种全nMoS SOI晶体管4管静态存储器单元

• 作者: 吴南健 张万成
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SRAM单元 绝缘体上硅 4管 32nm工艺结点
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1917-1921
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.10.014

摘要

提出了一种新颖的无负载4管全部由nMOS管组成的随机静态存储器(SRAM)单元.该SRAM单元基于32nm绝缘体上硅(SOI)工艺结点,它包含有两个存取管和两个下拉管.存取管的沟道长度小于下拉管的沟道长度.由于小尺寸MOS管的短沟道效应,在关闭状态时存取管具有远大于下拉管的漏电流,从而使SRAM单元在保持状态下可以维持逻辑"1".存储节点的电压还被反馈到存取管的背栅上,使SRAM单元具有稳定的"读"操作.背栅反馈同时增强了SRAM单元的静态噪声容限(SNM).该单元比传统的6管SRAM单元和4管SRAM单元具有更小的面积.对SRAM单元的读写速度和功耗做了仿真和讨论.该SRAM单元可以工作在0.5V电源电压下.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴南健	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	30	136	8.0	10.0
2	张万成	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	4	15	2.0	3.0