利用压印技术制备大面积相变材料阵列

• 作者: 万永中 刘彦伯 周伟民 宋志棠 张剑平 张挺 张静 李小丽 钮晓鸣 闵国全
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: UV-L SST阵列 PCRAM 存储单元
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 光子束技术
• 页码范围: 5-8
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2198字
• 语种: 中文

摘要

采用高效、低成本的紫外压印技术(UV-IL)在2 in.Si/SiO2基 Ti/TiN/Si2Sb2Te5(SST)多层膜表面制备了密度为3.8 M/In2的AMONIL点阵结构,并通过反应离子刻蚀得到相变材料SST阵列;电阻与脉冲宽度特性测得SST基PCRAM存储单元SET/RESET电阻值变化约30倍,I-V特性表明,阈值电压为1.18 V.此外,时间分辨XRD原位加热情况下SST薄膜结构变化说明,SST材料的相变发生在200℃-300℃之间.