半绝缘GaAs光电导开关中光激发电荷畴的猝灭畴模式

• 作者: 施卫 田立强
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电导开关 猝灭畴模式 等效电路
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1913-1916
• 页数: 4页
• 分类号: TN256
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.10.013

摘要

在半绝缘GaAs光电导开关币发现了光激发电荷畴的猝灭畴模式.分析指出畴猝灭是由于畴在渡越中开关的瞬时电场低于畴的维持电场引起的,并指出在开关电场低于非线性光电导开关阈值电场条件下,在到达阳极前畴的猝灭可导致开关输出电流的振荡频率高于畴的渡越时间频率.根据开关上作电路条件及畴特性给出了猝火畴模式的等效电路,计算了相应的电路参数,计算结果与实验基本吻合.该研究为提高光注入畴器件的振荡频率及工作效率提供了理论和实验依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施卫	西安理工大学应用物理系	85	925	17.0	25.0
2	田立强	西安理工大学应用物理系	8	96	5.0	8.0