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摘要:
基于Stillinger-Weber(SW)势和"x-分区"模型,用分子动力学方法模拟了266 nm飞秒激光烧蚀单晶硅的过程.给出了烧蚀过程的物理图像,烧蚀过程中材料内部缺陷的产生与发展最终导致整层材料被移除.对比研究了烧蚀材料中不同区域粒子的运动轨迹,结果体现了在固、液、气不同状态下粒子的运动特征.模拟了激光诱导应力波的传播,其速度为8.18 km/s.
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文献信息
篇名 266 nm飞秒激光烧蚀单晶硅的分子动力学模拟
来源期刊 强激光与粒子束 学科 物理学
关键词 飞秒激光 单晶硅 SW势 分子动力学 应力波
年,卷(期) 2008,(8) 所属期刊栏目 粒子束技术
研究方向 页码范围 1360-1364
页数 5页 分类号 O347|O437
字数 3153字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 曾新吾 国防科学技术大学光电科学与工程学院 22 179 7.0 13.0
2 王丽梅 国防科学技术大学理学院 1 10 1.0 1.0
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强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
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7
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61664
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