亚65 nm静态随机存储器稳定性提高技术

• 作者: 张昭勇 张金峰 李富华 郑坚斌
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 静态随机存储器 工艺变化 读写裕度 读写辅助电路
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 15-19,24
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 字数: 2462字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.01.005

摘要

CMOS工艺进入到65 nm节点后,工作电压降低,随机掺杂导致阈值电压变化增大,给SRAM的读写稳定性带来挑战.介绍了目前业界最新的主要稳定性提高技术.双电源电压、直流分压、电荷共享和电容耦合通过改变字线或者存储单元电压来提高读写稳定性,这些技术都采用外加读写辅助电路来实现;超6管存储单元通过在传统6管单元上增加晶体管,有效提高了读写稳定性;三维器件FinFET构成的SRAM具有传统器件无法比拟的高速、高稳定性、面积小的特点.对这些技术的优缺点作了分析比较.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李富华	苏州大学电子信息学院	27	138	7.0	10.0
2	郑坚斌		4	7	2.0	2.0
3	张金峰	苏州大学电子信息学院	1	2	1.0	1.0
7	张昭勇		1	2	1.0	1.0