SO2-4插层znAl和MgAl类水滑石的制备条件研究

• 作者: 张惠 王宇 王琳 申延明
• 来源期刊: 沈阳化工学院学报
• 学科: 化学
• 关键词: 类水滑石 层状化合物 硫酸根离子 插层
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 化学与化学工程
• 页码范围: 308-311
• 页数: 4页
• 分类号: O643|TQ426
• 字数: 2435字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-2198.2008.04.006

摘要

采用共沉淀法,以金属硫酸盐为原料,NaOH为沉淀剂合成SO2-4插层ZnAl和MgAL类水滑石,并通过XRD、FT-IR对其结构特征进行表征.探讨合成条件以及M2+与M3+摩尔比对水滑石结构的影响.结果表明:pH值8.0,晶化温度60～80℃、晶化时间5～10 h可合成结构完整的水滑石晶相.M2+与M3+摩尔比在2～4均可合成水滑石单一晶相,但随着M2+与M3+摩尔比的增加,水滑石的层间距增大.IR测试证实,层间插层的阴离子为SO2-4.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	申延明	沈阳化工学院化学工程学院	70	372	11.0	14.0
2	张惠	沈阳化工学院化学工程学院	12	114	7.0	10.0
3	王琳	沈阳化工学院化学工程学院	7	14	1.0	3.0
4	王宇	沈阳化工学院化学工程学院	12	64	5.0	8.0