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摘要:
采用中频交流磁控溅射方法,在玻璃基底上依次沉积了Mo、CuIn、CuGa薄膜,制备了CuInGa(CIG)层预制膜,采用固态硒化法制备获得了Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层薄膜,考察了CuGa层制备过程中工作气压的改变,对CIGS薄膜结构和形貌的影响.采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构.结果表明,改变溅射制备CuGa层的工作气压,所获得的CIG双层预制膜均由Cu11 In9、CuIn和CuGa组成.在溅射制备CuGa层的工作气压为1.0 Pa的条件下所获得的CIG双层预制膜经过硒化后,获得的CIGS薄膜致密.采用不同结构的双层预制膜,在不同的硒化时间下制备的CIGS薄膜,均具有黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向.
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溅射气压
粗糙度
CIGS固溶体
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 双层预制膜对CIGS薄膜结构和形貌的影响
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 工学
关键词 太阳能电池 Cu(In1-xGa)Se2 磁控溅射 预制膜 硒化
年,卷(期) 2008,(1) 所属期刊栏目 技术交流
研究方向 页码范围 78-82
页数 5页 分类号 TM615
字数 2565字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张弓 清华大学机械工程系 81 914 16.0 27.0
2 庄大明 清华大学机械工程系 104 1374 22.0 32.0
3 李春雷 清华大学机械工程系 12 60 5.0 7.0
4 韩东麟 清华大学机械工程系 7 36 3.0 5.0
5 元金石 清华大学机械工程系 7 50 4.0 7.0
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研究主题发展历程
节点文献
太阳能电池
Cu(In1-xGa)Se2
磁控溅射
预制膜
硒化
研究起点
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研究去脉
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1672-7126
11-5177/TB
大16开
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1981
chi
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