非均匀厚度漂移区SOI高压器件及其优化设计

• 作者: 张伟 张波 李肇基 杨寿国 罗小蓉 阎斌
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 非均匀厚度漂移区 电场 调制 高压
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1902-1906
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.10.011

摘要

提出非均匀厚度漂移区SOl高压器件新结构及其优化设计方法.非均匀厚度漂移区调制SOI层的电场并增强埋层电场,从而 提高器件击穿电压.考虑到这种调制效应.提出解析模型用以优化设计该新器件的结构参数.借助解析模型,研究了电场分布和器件击穿电压与结构参数的关系.数值仿真'证实了解析模型的正确性.具有3阶梯的非均匀厚度漂移区SOl器件耐压为常规结构SOl器件的2倍,且保持较低的导通电阻.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	206	1313	17.0	26.0
2	李肇基	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	85	958	14.0	28.0
3	罗小蓉	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	18	62	5.0	7.0
4	张伟	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	126	932	15.0	24.0
5	阎斌	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	24	1.0	2.0
6	杨寿国	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	1	1.0	1.0