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摘要:
在对传统带隙基准源基本原理分析的基础上,提出了一种适用于单片集成AC/DC变换器的带隙基准电路.该电路采用无运放的带隙结构,避免了运放失调电压对基准源的影响.基于LITEON 1 μm HV BiCMOS工艺,Hspice仿真结果表明,该基准源产生1.238V的基准电压,电源抑制比高达60dB,在-40℃~140℃温度范围内,基准电压仅变化3.9mV,温度系数为16.6×10-6/℃,完全满足AC/DC变换器对其性能的要求.
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文献信息
篇名 用于单片集成AC/DC变换器的带隙基准源设计
来源期刊 电子与封装 学科 工学
关键词 带隙基准 AC/DC 温度系数 启动电路
年,卷(期) 2008,(10) 所属期刊栏目 电路设计
研究方向 页码范围 17-20
页数 4页 分类号 TN432
字数 2629字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1681-1070.2008.10.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 马灵芝 21 156 8.0 11.0
2 来德锋 2 3 1.0 1.0
3 刘珠宝 2 0 0.0 0.0
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2008(0)
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研究主题发展历程
节点文献
带隙基准
AC/DC
温度系数
启动电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
月刊
1681-1070
32-1709/TN
大16开
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
2002
chi
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
总被引数(次)
9543
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