微球体尺度对硅片表面改性效果的影响

• 作者: 吴虎城 张德坤 李伟
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅 离子注入 摩擦磨损
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 离子束技术
• 页码范围: 48-51,56
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2983字
• 语种: 中文

摘要

以单晶硅(110)和C+注入硅片后形成的表面改性层为研究对象,对C+注入单晶硅后的离子分布深度概率进行模拟计算,选择不同直径尺度的SiO2球与其配副,在UMT-Ⅱ微摩擦磨损试验机上开展微载荷和不同球径尺度下的摩擦磨损试验,分析C+注入前后硅片的摩擦系数变化规律,在MicroXAMTM超高精度三维轮廓仪和S-3000N型扫描电镜上观察硅片磨损后的微观形貌.结果表明,C+注入对单晶硅表面的摩擦磨损性能改善明显,改善效果与施加的微载荷和接触应力相关.载荷小于0.1 N时,C+注入后硅片的减摩效果不明显;载荷大于0.2 N时,C+注入后硅片的耐磨性显著提高,其磨损机理主要为磨粒磨损和粘着磨损.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李伟	中国矿业大学机电学院	76	453	11.0	18.0
2	吴虎城	中国矿业大学机电学院	13	24	3.0	4.0
3	张德坤	中国矿业大学材料学院	82	994	17.0	28.0