截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管

• 作者: 刘新宇 徐安怀 程伟 金智 齐鸣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: lnP 异质结构双极晶体管 平坦化 高频
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1898-1901
• 页数: 4页
• 分类号: TN385
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.10.010

摘要

研制成功了一种无微空气桥的亚微米InP基异质结双极晶体管(HBT).发展了小于100nm的发射极侧向腐蚀工艺,实现了亚微米的InP基HBT.发射极宽度的减小有效提高了频率特性,发射极面积为0.8μm×15μm的HBT的电流增益截止频率达到了238GHz.发展了基极-集电极的侧向过腐蚀工艺,有效减小了结面积,提高了最大振荡频率.Kirk电流密度达到了3.1mA/μm2.据我们所知,电流增益截止频率是目前国内三端器件中最高的,Kirk电流密度是国内报道的HBT中最高的.这对于HBT器件在超高速电路中的应用具有十分重要的意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	齐鸣	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	34	145	8.0	9.0
3	徐安怀	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	20	94	7.0	8.0
4	程伟	中国科学院微电子研究所	28	428	9.0	20.0
5	金智	中国科学院微电子研究所	30	92	5.0	8.0