共面负折射指数波导的电容缺陷对传输特性的影响

• 作者: 冯宇 吴健 宋建平 杨华 钱兴中
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 物理学
• 关键词: 漏波负折射天线 缺陷电感和电容 负折射指数 传输属性
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件
• 页码范围: 453-456
• 页数: 4页
• 分类号: O451
• 字数: 2719字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.02.018

摘要

在实际负折射指数漏波天线加工中经常出现误差.文章研究了负折射指数漏波天线的电容缺陷对传输特性的影响.利用缺陷负折射指数理论,得出当电容缺陷刚引入时,传输特性变化极其明显,而电容缺陷变大时,传输特性变化将很小,因为间距的变化破坏了负折射指数漏波天线整体对称性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋建平	西安交通大学电子科学系	57	877	17.0	27.0
2	杨华	信息工程大学理学院	19	20	3.0	4.0
3	钱兴中	信息工程大学理学院	6	8	1.0	2.0
4	冯宇	信息工程大学理学院	21	105	7.0	10.0
6	吴健	中国电波传播研究所电波环境及模化技术国家重点实验室	74	587	14.0	20.0