脉冲激光沉积法(PLD)生长Co掺杂ZnO薄膜及其磁学性能

• 作者: 何海平 叶志镇 叶志高 彭英姿 朱丽萍 赵炳辉
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌 磁性 Co掺杂 脉冲激光沉积
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 486-490
• 页数: 5页
• 分类号: O472.5
• 字数: 2533字
• 语种: 中文

摘要

采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)及石英衬底上生长Co掺杂ZnO薄膜,并且比较了不同生长条件下薄膜的性能.实验观察到了700 ℃、0.02 Pa氧压气氛下生长的Co掺杂ZnO薄膜显示室温磁滞回线.采用XRD、SEM等手段对Co掺杂ZnO薄膜的晶体结构及微观形貌进行了分析,得到的ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向,结构比较致密,表面平整度较高,并且没有发现Co的相关分相,初步表明Co有效地掺入了ZnO的晶格当中.霍尔测试表明Co掺杂ZnO薄膜样品保持了半导体的电学性能,电阻率为0.04 Ω·cm左右,载流子浓度约为1018/cm3,迁移率都在18.7 cm2/V· s以上.实验结果表明材料保持了ZnO半导体的性能,并具有室温铁磁性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱丽萍	浙江大学硅材料国家重点实验室	39	267	10.0	15.0
2	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
3	何海平	浙江大学硅材料国家重点实验室	19	71	5.0	7.0
4	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
5	彭英姿	杭州电子科技大学理学院材料物理研究所	6	18	2.0	4.0
6	叶志高	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	18	2.0	3.0