多孔硅/高氯酸钠复合材料合成与爆炸特性研究

• 作者: 聂福德 胡欣 郁卫飞 黄辉 黎学明
• 来源期刊: 含能材料
• 学科: 化学
• 关键词: 电化学 多孔硅 复合材料 爆炸 NaClO4
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 727-730
• 页数: 4页
• 分类号: TJ55|O646
• 字数: 2252字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-9941.2008.06.020

摘要

采用电化学阳极氧化法制备多孔硅,考察不同阳极氧化条件下多孔硅孔隙率及膜厚变化规律,分析阳极氧化条件、高氯酸钠溶液浓度及多孔硅贮存方法等对多孔硅/高氯酸钠复合材料爆炸特性的影响.结果表明,多孔硅孔隙率随阳极氧化电流密度增加而增大,当电流密度达到50 mA·cm-2时趋于稳定,当氢氟酸浓度增加时多孔硅孔隙率反而减小,而阳极氧化时间延长时多孔硅孔隙率呈先增加后减小现象,且氧化时间为30 min时孔隙率最大;多孔硅膜厚随时间增加而增大,其生长速度为2 μm·min-1左右;当新鲜多孔硅形成后,其表面出现微裂缝,内部含大量长度为40 μm,宽度为2~3 μm硅柱;当新鲜或乙醇贮存7天内的多孔硅浸入浓度不小于0.1 g·mL-1 NaClO4甲醇溶液后,形成的多孔硅/高氯酸钠复合材料能够发生爆炸.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄辉	中国工程物理研究院化工材料研究所	100	1362	21.0	32.0
2	黎学明	重庆大学化学化工学院	99	889	17.0	25.0
3	胡欣	重庆大学化学化工学院	3	17	2.0	3.0
4	聂福德	中国工程物理研究院化工材料研究所	102	1186	20.0	26.0
5	郁卫飞	中国工程物理研究院化工材料研究所	45	435	15.0	18.0