单根In掺杂的n-ZnO纳米线/p+-Si异质结的紫外电致发光

• 作者: 戴伦 杨卫全 秦国刚 霍海滨 马仁敏
• 来源期刊: 北京大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 电致发光 氧化锌纳米线 硅 异质结
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 339-342
• 页数: 4页
• 分类号: O475
• 字数: 2078字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0479-8023.2008.03.003

摘要

采用化学气相沉积的方法在In0.1Ga0.9N衬底上生长出In掺杂的n-ZnO纳米线阵列.电学输运测量得到单根n-ZnO纳米线的电阻率为0.001 Ω cm,比同样方法在GaN衬底上生长的ZnO纳米线低约20倍.这个结果表明来自于In0.1Ga0.9N衬底中的In原子在高温生长过程中可能被掺入ZnO纳米线.制备成功单根n-ZnO纳米线/p+-Si异质结构并研究了其电致发光特性.室温下电致发光光谱中可以看到一个窄的ZnO激子峰(约380 nm)和一个中心位于700 nm 的来自Si衬底表面自然氧化硅发光中心的发光峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦国刚	北京大学物理学院	20	128	6.0	10.0
3	戴伦	北京大学物理学院	6	9	2.0	2.0
5	霍海滨	北京大学物理学院	1	1	1.0	1.0
6	杨卫全	北京大学物理学院	1	1	1.0	1.0
9	马仁敏	北京大学物理学院	1	1	1.0	1.0