IR推出革命性氮化镓基功率器件技术平台 专有的硅上GaN器件和功率器件技术预示着电源转换新纪元的到来

• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 经济
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 页数: 1页
• 分类号: F416.63

摘要

全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)宣布,成功开发出一种革命性的GaN功率器件技术平台。与此前最先进的硅基技术平台相比,该技术平台可将关键特定设备的品质因子(FOM)提高1/10,显著提高计算和通信、汽车和电器等终端设备的性能,并降低能耗。开拓性GaN功率器件技术平台是IR基于该公司的GaN器件专利技术,历经5年研发而成的成果。