PECVD低温制备微晶硅薄膜的研究

• 作者: 卢景霄 吴芳 王海燕 郜小勇 陈永生 马康
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: PECVD 微晶硅薄膜 晶化率 生长机制
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 97-101
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2362字
• 语种: 中文

摘要

实验采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃衬底上制备了微晶硅薄膜.研究了氢稀释比、衬底温度、射频功率等因素对薄膜晶化的影响,得出在一定范围内随着衬底温度的升高、射频功率和氢稀释比的增大,薄膜的晶化率得到提高;但进一步提高沉积温度、射频功率反而会使薄膜晶化效果变差,并对晶化硅薄膜低温生长的机理进行了初步的探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郜小勇	郑州大学材料物理教育部重点实验室	52	301	10.0	14.0
2	陈永生	郑州大学材料物理教育部重点实验室	67	484	11.0	19.0
3	王海燕	郑州大学材料物理教育部重点实验室	62	372	11.0	16.0
4	卢景霄	郑州大学材料物理教育部重点实验室	100	570	12.0	17.0
5	马康	郑州大学材料物理教育部重点实验室	3	31	3.0	3.0
6	吴芳	郑州大学材料物理教育部重点实验室	8	48	3.0	6.0