应用于TD-SCDMA移动终端的单片InGaP/GaAs HBT功率放大器

• 作者: 张海英 毕晓君 陈立强 黄清华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: TD-SCDMA 功率放大器 InGaP/GaAsHBT 功率附加效率 邻近信道功率抑制比
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1868-1872
• 页数: 5页
• 分类号: TN722.7+5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.10.004

摘要

报道了用于TD-SCDMA移动终端的高效率、高线性度HBT功率放大器的研制.该单片功率放大器采用两级放大结构,内部集成了输入匹配、级问匹配网络以及有源偏置电路,总芯片面积仅为0.91mmX 0.98mm.该功率放大器采用单电源3.4V供电,在高、低功率模式下,PAE分别为43%和116%,增益达到了28.5以及24dB.当输入QPSK调制信号时,在低输出功率以及高输出功率状态下,1.6MHz/3.2MHz中心频偏处,ACPR分别低于-45dBc/-56dBc和-39dBc/-50dBc.本芯片尺寸小,电压稳定性高,性能优越,为低成本化的大规模生产提供了能性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
2	黄清华	中国科学院微电子研究所	11	53	4.0	7.0
3	陈立强	中国科学院微电子研究所	14	62	4.0	7.0
4	毕晓君	中国科学院微电子研究所	1	4	1.0	1.0