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摘要:
针对C/SiC复合材料进行了空气工作环境下的烧蚀研究.分析了C/SiC复合材料的氧化机理,研究了C/SiC材料的氧化烧蚀的影响因素.根据氧化机理,对不同温度下材料的氧化烧蚀进行了模拟,针对SiC材料建立了相应氧化剥蚀模型,并对平板材料的氧化情况进行了模拟计算,将计算结果进行剥蚀情况和非剥蚀情况下的比较讨论.计算结果表明,在不同的温度下C/SiC复合材料的氧化有不同的控制机理,SiO2层的剥蚀将导致SiC材料的氧化烧蚀率增加.
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文献信息
篇名 C/SiC复合材料在空气中的氧化烧蚀
来源期刊 推进技术 学科 航空航天
关键词 烧蚀 C/SiC复合材料 氧化
年,卷(期) 2008,(4) 所属期刊栏目 发动机及其部件
研究方向 页码范围 488-493
页数 6页 分类号 V435.14
字数 4441字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1001-4055.2008.04.019
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郑力铭 北京航空航天大学宇航学院 17 137 7.0 11.0
2 张杰 北京航空航天大学宇航学院 15 200 6.0 14.0
3 WEI Xin 北京航空航天大学宇航学院 1 20 1.0 1.0
4 SUN Bing 北京航空航天大学宇航学院 1 20 1.0 1.0
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节点文献
烧蚀
C/SiC复合材料
氧化
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推进技术
月刊
1001-4055
11-1813/V
大16开
北京7208信箱26分箱
1980
chi
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