射频干扰对消技术抗单音干扰性能分析

• 作者: 曹星
• 来源期刊: 电讯技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电子对抗 射频通信 干扰对消技术 单音干扰
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 52-54
• 页数: 3页
• 分类号: TN973.3
• 字数: 2060字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-893X.2008.08.012

摘要

传统的抗射频阻塞干扰方法会引起有用信号的畸变,同时仅部分抑制了射频阻塞干扰.为了解决这些抗干扰方式存在的不足,提出了一种解决方案射频干扰对消,给出了射频干扰对消抗阻塞干扰的实现方法,并对其抗单音干扰的性能做了计算仿真.结果表明,采用射频干扰对消技术后,在Eb/N0相同的条件下,干信比在10～30 dB范围内,对误码率没有影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹星		2	2	1.0	1.0