电子束蒸发技术制备ITO薄膜的光电特性和微结构研究

• 作者: 卢景霄 张庆丰 王之健 谷锦华 郭学军
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: ITO透明导电膜 电子束蒸发 光电性能 微结构
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 55-58
• 页数: 4页
• 分类号: O472|TB43
• 字数: 2210字
• 语种: 中文

摘要

利用电子束蒸发技术制备ITO透明导电膜,研究了衬底温度,氧分压以及沉积速率的变化对薄膜光电特性的影响,结果表明在衬底为350℃,氧分压为2.0×10-2 Pa,沉积速率在3 nm/min的条件下制得透过率T81%,电阻率p=1.9×10-3 Ω·cm的ITO透明导电膜.另外我们通过XRD对样品的微结构进行了分析,发现薄膜晶格常数和晶粒大小随制备条件的不同,也有显著的规律变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谷锦华	郑州大学物理工程学院材料重点实验室	25	103	6.0	8.0
2	卢景霄	郑州大学物理工程学院材料重点实验室	100	570	12.0	17.0
3	张庆丰	郑州大学物理工程学院材料重点实验室	8	40	5.0	6.0
4	郭学军	郑州大学物理工程学院材料重点实验室	9	41	5.0	6.0
5	王之健	郑州大学物理工程学院材料重点实验室	1	9	1.0	1.0