玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜研究

• 作者: 吴爱民 姜辛 宋世巍 徐茵 李瑞 王文彦 秦福文 顾彪
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电子回旋共振.等离子体增强金属有机物化学气相沉积 氮化镓 低温沉积 玻璃衬底
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 880-884
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3576字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.10.010

摘要

采用电子回旋共振.等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和霍尔测量系统对样品进行了检测,研究了其结晶性和电学特性随沉积温度的变化.结果表明,当沉积温度为250-430℃时,得到的GaN薄膜都呈现高度的C轴择优取向,结晶性较好;薄膜表面形貌较为平整且呈n型导电.