利用双低温缓冲层和插入应变超晶格技术制备高质量InP-on-GaAs复合衬底的MOCVD生长

• 作者: 任晓敏 周静 王琦 黄永清
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InP-011-GaAs 双低温缓冲层 InGaP/InP应变超晶格 MOCVD
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1855-1859
• 页数: 5页
• 分类号: O782
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.10.001

摘要

提出一种结合双低温缓冲层和应变超晶格优势的高质量InP-on-GaAs复合衬底制备技术．研究发现LT-InP/LT-GaAs的双低温缓冲层比单一低温InP缓冲层的聚集应变的效果更为显著．并且，双低温缓冲层中的低温GaAs层存在一个最优生长厚度．当低温InP生长厚度一定，低温GaAs层的生长厚度达到优化生长厚度时，LT-InP/LT-GaAs双低温缓冲层能达到调节应变的最佳状态．最后，通过插入InGaP/lnP应变超晶格，并且优化其在外延层中的插入位置．得到了高质量的InP-on-GaAs的复合衬底，2μm厚的lnP外延层XRD-ω/2θ扫描的半高宽小于200．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周静	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	6	19	2.0	4.0
2	黄永清	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	196	987	13.0	18.0
3	任晓敏	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	189	942	13.0	18.0
4	王琦	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	82	480	13.0	19.0