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摘要:
在c取向的LAO基片上,采用两步法制备TI2212高温超导薄膜.首先,利用PLD在基片上沉积无Tl前驱膜,然后前驱膜在流动Ar气氛中利用坩埚技术在720~740℃温度下用Tl2223铊源外延生长成2英寸双面TI2212高温超导薄膜.实验结果表明:2英寸双面TI2212薄膜具有良好的c轴取向,并有明显的层状生长结构,有少量杂相晶粒但无裂纹;两面薄膜表面均匀光亮且呈深褐色.用四引线法测量的最佳双面薄膜的超导零电阻温度分别为106.2K和108.5K;在77K温度下,超导临界电流扫描测量仪得到优质薄膜的临界电流密度在1.0×106 A/cm2到4.8×106 A/cm2范围内;薄膜的微波表面电阻由一个介质谐振器在77K温度和10GHz频率下测量薄膜中心部分的Q值得到,其值小于0.5mΩ.
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 2英寸双面TI2212高温超导薄膜的制备与研究
来源期刊 低温物理学报 学科 物理学
关键词 TI2212薄膜 PLD FWHM
年,卷(期) 2008,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 66-69
页数 4页 分类号 O51
字数 2046字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-3258.2008.01.014
五维指标
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2010(1)
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研究主题发展历程
节点文献
TI2212薄膜
PLD
FWHM
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
低温物理学报
双月刊
1000-3258
34-1053/O4
大16开
安徽省合肥市金寨路96号
26-136
1979
chi
出版文献量(篇)
1833
总下载数(次)
3
总被引数(次)
4241
论文1v1指导