GaAs(331)A面InAs自组织纳米结构形貌演化

• 作者: 任正伟 牛智红 贺振宏
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 分子束外延 表面形貌 原子力显微镜 量子线
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 108-111
• 页数: 4页
• 分类号: O472|O472
• 字数: 2608字
• 语种: 中文

摘要

采用分子束外延方法在CaAs(331)A高指数衬底上制备自对齐InAs纳米线(QWRs)或者三维(3D)岛状结构.InAs纳米线(QWRs)选择性生长在CaAs层的台阶边缘.通过原子力显微镜(AfM)仔细研究了InAs纳米微结构的表面形貌,发现不同的生长条件,包括:衬底温度、生长速率、和InAs层厚度等,对InAa表面形貌有很大的影响.如,低温更容易导致线状纳米微结构的形成,而高温更利于3D岛状结构形成.表面形貌的转变归结于表面能同应变能之间的竞争.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛智红		2	1	1.0	1.0
2	任正伟	中科院半导体研究所	1	1	1.0	1.0
3	贺振宏	中科院半导体研究所	1	1	1.0	1.0