功率VDMOS器件的ESD瞬态模型

• 作者: 刘勇 周春华 张波 徐世六 李泽宏 胡永贵
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS ESD 等效电路 初始条件 瞬态模型
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2014-2017
• 页数: 4页
• 分类号: TN602
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.10.031

摘要

基于对功率VDMOS器件ESD保护及初始条件的分析,建立了VDMOS器件的ESD保护等效电路,分析了ESD响应过程,得到功率VDMOS器件的ESD瞬态模型.分析结果表明,该模型准确地描述了功率VDMOS器件的ESD瞬态放电过程,解决了以往模型中初始条件分析不足等同题.借助该模型,获得ESD器件的等效电阻和击穿电压、VDMOS的栅极输入电阻、栅源电容、栅氧厚度等与功率VDMOS器件抗ESD能力的关系,为功率VDMOS器件的抗ESD保护设计提供重要指导.