宽频高阻抗贫铁MnZn铁氧体的掺杂改性研究

• 作者: 何华辉 冯则坤 熊惟皓 谭福清 黄爱萍
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 MnZn铁氧体 贫铁 电阻率 阻抗特性
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 28-31
• 页数: 4页
• 分类号: TM277
• 字数: 3294字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.04.009

摘要

采用传统陶瓷工艺制备了MnZn和NiZn铁氧体材料.研究了贫铁MnZn铁氧体、富铁MnZn铁氧体及NiZn铁氧体的电阻率和阻抗的频率特性.结果表明:CaCO3-SiO2联合掺杂能大幅度提高贫铁MnZn铁氧体材料的电阻率,在最大添加量w(SiO2)为0.005%,w(CaCO3)为0.04%时,有最大电阻率10 246Ω·m;贫铁MnZn铁氧体材料综合了富铁MnZn铁氧体材料的低频高阻抗和Nizn铁氧体材料的高频高阻抗特性:Fe2O3、TiO2含量的增加都会提高材料的低频阻抗,降低材料的高频阻抗.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何华辉	华中科技大学电子科学与技术系	110	1350	20.0	29.0
2	熊惟皓	华中科技大学材料科学与工程学院	175	1834	22.0	32.0
3	冯则坤	华中科技大学电子科学与技术系	109	961	18.0	25.0
4	谭福清		8	80	5.0	8.0
5	黄爱萍	华中科技大学电子科学与技术系	13	182	8.0	13.0