磁控溅射的TaN薄膜的扩散阻挡性能

• 作者: 刘兴刚 张丛春 杨春生 石金川
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铜互连 TaN阻挡层 磁控溅射 热稳定性
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 73-76
• 页数: 4页
• 分类号: O484|TN305
• 字数: 1551字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.01.019

摘要

用反应磁控溅射方法在SiO2/Si(100)衬底和Cu薄膜间溅射一层TaN阻挡层,测试不同N气分压及热处理温度下Cu/TaN/SiO2/Si薄膜的显微结构和电阻特性.同时利用微细加工技术加工了镂空的Cu互连叉指测试结构,研究了TaN薄膜在镂空的铜互连结构中的扩散阻挡性能.结果发现,在退火温度不超过400 ℃时,薄膜电阻率均低于80μΩ·cm,而当溅射N分压超过10%,退火温度超过400℃时,薄膜电阻率很快上升.低N气分压下(≤10%)溅射时,即使退火温度达到600 ℃,薄膜电阻基本不变.